研究方向

• 綠能記憶體：
  運用MOSFET在Subthreshold region下的特性設計低操作電壓的記憶體電路，同時研究開發電路架構降低綠能記憶體的耗能以達到省能的目的。
  
• 奈米記憶體電路設計：
  使用先進奈米製程設計SRAM、ROM跟DRAM等種類的記憶體電路，針對各種規格如，像是製程變異容忍度、操作速度、良率、Wide-VDD等進行改善與最佳化。
  
• 運用於記憶體電路裡的類比電路：
  感測訊號的感測放大器(Sense amplifier)、電荷幫浦(Charge pump)和降壓轉換器(LDO)等周邊類比電路。