[無塵室進出資格] [儀器訓練申請流程] [儀器考核]
[使用門禁卡與儀器預約系統] [進入無塵室使用儀器 ] |
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目的: |
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規範進出無塵室所需注意之事項,其中包括:各項製程儀器自行操作的訓練、考核程序,與進出無塵室的門禁卡申請,和儀器預約系統之申請手續,以及相關的無塵室注意事項,以維護無塵室的安全及有效的管理無塵室,提供所有的使用者一個優良的操作環境。
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A.無塵室進出資格: |
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台聯大奈科中心共用無塵室已開放各系所與業界自行操作使用儀器設備多時,基於維護實驗室安全與設備功能的考量,進入共用無塵室使用設備必須受過半導體製程與實驗相關課程之訓練。表A-1列出奈科中心比照國家奈米元件實驗室儀器使用訓練資格辦法認可之半導體製程與實驗課程,欲進出本中心共用無塵室或參加本中心訓練課程的人員,需至少修習過表A-1中的任一門課程。
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B.儀器訓練申請流程 |
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欲自行操作台聯大共用無塵室之儀器設備前,須經過至少三次的操作訓練,本中心認可之儀器訓練方式有:1.由合格者進行訓練、2.參加中心舉辦訓練課程兩種方式。 |
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- 由合格者進行訓練
請先參照表B-1台聯大奈科中心-儀器設備自行操作開放等級分類以及該項儀器設備說明,確定自己是否符合儀器自行操作的限制資格(並確定該設備之用途符合自己需求),符合資格者請填妥台聯大奈科中心-儀器訓練、認證申請表(表B-2),並請指導教授/單位主管簽名後,將本表與所需的文件(請參閱各儀器的訓練課程與儀器設備說明)連同表A-1所列之合格證書,送至本中心行政助理處審核,經審核通後即可由合格者進行儀使用訓練。由合格者進行儀器訓練的時間僅限在白天上班時間,且學員須於進入無塵室前,先至本中心行政助理處更換臨時通行證,並於出無塵室時繳回該證件,在無塵室內之此段訓練時間,學員的安全及機台的運作將由訓練人員負責,每一儀器的訓練次數不得少於三次。若發現學員於晚上或假日進行訓練或未依規定佩帶臨時通行證,將依一般性違規處理(見表F-1)。
- 參加舉辦訓練課程
本中心之儀器訓練以季(每年四個梯)為單位,各儀訓練課程於開班前一個月會上網公告,詳細的上課時間請參考訓練課程。欲申請參加訓練課程之時,請先參照表B-1台聯大奈科中心-儀器設備自行操作開放等級分類以及該項儀器設備說明,確定自己是否符合儀器自行操作的限制資格(並確定該設備之用途符合自己需求),符合資格者請填妥台聯大奈科中心-儀器訓練、認證申請表(表B-2),並請指導教授/單位主管簽名後,將本表與所需的文件(請參閱各儀器的訓練課程與儀器設備說明)連同表A-1所列之合格證書,於開課前一週送至本中心行政助理處審核,通過審核者,本中心將會於上課前三日以E-mail確認上課時間。若未能於開課前一週將所需之文件送至本中心審核者,本中心將安排符合資格者參加下一梯次之訓練課程。
所有儀器訓練申請者請於每一堂訓練課程結束時,將本表交給訓練人員簽名以做為參與課程之紀錄。
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C.儀器認證申請流程 |
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每一位儀器訓練申請者在接受該機台全程訓練課程後,即可向本中心提出鑑測申請。提出考試申請時須將表B-2交由中心之行政助理審核,確定完成訓練課程者,在確定繳交應考所需之費用後(依台聯大收費標準收費),由中心指定考核人員考核(應試者須自行與考核人員協調考試時間),通過考試(含筆試及口試)之儀器認證申請者應請考核人員於表B-1簽名作為證明。如未能通過考試者,必須重新繳交應考費用並得於二週後與考核人員另定考核時間,若經三次考試仍未能通過考核者,本中心將取消該次應考資格,但應訓人員得於重新完成該儀器之訓練課程後,再重新提出考核申請。通過中心之儀器操作考核(含筆試及口試)者,即具有自行操作該設備儀器的資格。
取得自行操作儀器設備資格者,在儀器能提供正常服務情形下,若達6個月以上未上機操作時,本中心將要求該使用者重新認証後,方可再上機操作。
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D. 機台預約系統申請 |
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具有自行操作設備儀器資格的人員,可至本中心網頁下載表D-1台聯大奈科中心-預約系統使用申請表,填妥本表後須請指導教授/單位主管簽名,然後再將表D-1送至中心行政助理處完成申請手續。
預約儀器時請參考表D-2台聯大奈科中心儀器-夜間與假日時段使用資格表,並請依中心淮許之使用權限預約許可之時段,若越權預約非使用權限之時段,本中心將以一般性違規懲處(表F-1台聯大奈科中心-無塵室單項儀器違規停用罰則)。預約未到者仍須按預約時段收費標準計費,且若累積達兩次未到者,將依一般性違規處理。欲取消預約之時段,須至少於操作前48小時取消,否則該預約仍視為有效,如不按時到場操作視為預約未到。
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E. 無塵室門進出禁卡申請辨法 |
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通過本中心儀器自行操作考核後(步驟A→C),得向本中心申請進出門禁卡,進入無塵室使用該項儀器。若進入無塵室操作非本中心共用儀器者,必須符合表A-1所列之限制條件,且於無塵室中未經許可不得私自使用無塵室內之設備(包含黃光設備),同時必須配合、遵守本中心管理無塵室之相關措施與辨法。
申請門禁卡的費用為新台幣二百元,若使用過程中卡片遺失時,補發新卡的費用為二佰元。門禁卡使用期限以領卡日起至該學年結束止(七月三十一日),若需再續卡時,請在每年八月一日至八月三十一日之緩衝期間提出續用登記申請,否則資格自動消失。
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F.相關機台使用規定 |
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原則上所有機台的操作以操作人員自身的安全、與其他無塵室內所有人員的安全,以及機台儀器的正常運作為操作原則,詳細的機台操作規範以各機台的使用手冊為準,各機台嚴禁非允許的試片進入chamber內,如發生此一嚴重錯誤行為將取消自行操作的資格,一般操作上之違規將依表F-1:台聯大奈科中心-無塵室單項儀器違規停用罰則處理。 |
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附錄 |
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表A-1:
台聯大奈科中心認可之半導體製程與實驗相關之課程
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開課單位 |
課程名稱 |
台大電機系 |
半導體專題實驗 電工實驗(半導體) |
交大次微米人才培訓中心 |
積體電路後段製程實作 IC基礎製程技術(實作課) |
交大電子系所 |
半導體實驗 |
交大電物系所 |
半導體實驗 |
交大材料所 |
材料工程實驗 |
清大電機所 |
半導體製程與實驗 微電子工程實驗 |
清大工科系 |
系統製造與實驗 高等微系統製造與實驗 |
中興電機系所 |
微電子工程實驗 |
中山光電所 |
半導體製程專題 |
自強工業科學基金會 |
積體電路製程實務及實驗 積體電路製實習 半導體製程實作 |
長庚電機系 |
半導體工程及實驗 |
長庚電子系暨長庚半導體科技研究所 |
半導體實驗 |
成大半導體研究中心 |
超大型積體電路人才培訓班-元件實作班 |
國家奈米元件實驗室 |
半導體設備見習班 |
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表B-1:台聯大奈科中心-儀器設備自行操作開放等級分類
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儀器設備名稱 |
開放等級 |
助理 |
高溫氧化爐管 |
A |
自強基金會 |
磷擴散爐管 |
A |
自強基金會 |
硼擴散爐管 |
A |
自強基金會 |
退火爐管 |
A |
自強基金會 |
四點針測 |
A |
自強基金會 |
薄膜量測儀 |
A |
自強基金會 |
顯微鏡及照像系統 |
A |
自強基金會 |
電漿光阻去除系統 |
A |
自強基金會 |
電子鎗真空蒸鍍系統
(E-Gun System) |
B |
陳許峻 |
直流式真空濺鍍系統(DC-Sputter
System) |
B |
王興祥 |
雙面曝光對準系統
(Double-Side Aligner) |
B |
洪錦石 |
矽--玻璃陽極接合技術(Andoic
Bonding System) |
B |
洪錦石 |
介電層反應離子蝕刻系統
(Dielectric RIE -10NR) |
B |
王興祥 |
二氧化碳乾式清洗系統(CO2
Dryer) |
B |
陳許峻 |
高分子化學氣相沉積系統(Parylene
Coating) |
B |
陳許峻 |
TMAH濕蝕刻系統(TMAH
Etching System) |
B |
鄒紹光 |
電漿輔助化學氣相沉積 (PECVD
System) |
C |
王興祥 |
矽等向蝕刻系統 ( XeF2
Si Isotropic Etching ) |
C |
陳許峻 |
電感耦合電漿式矽蝕刻系統 (ICP) |
C |
洪錦石 |
金屬反應離子蝕刻系統
(Metal RIE -200L) |
C |
王興祥 |
低壓化學氣相沉積系統 (LPCVD
System) |
C |
鄒紹光 |
射頻濺鍍系統 (RF-Sputter
System) |
D |
鄒紹光 |
雷射圖形產生器(Laser
Mask Maker) |
E |
陳許峻 |
密集式沈積與蝕刻系統(RIE
& PECVD, P5000) |
E |
鄒紹光 |
儀器博士後研究員:陳建亨、岑尚仁
行政助理:林瑟蘭 03-5742264
等級A:洽自強基金會
等級B:人數不限
等級C:每一Group限研究生三人(至少一人為博士班)
等級D:限博士班學生
等級E:由奈科中心指定
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表B-2: 台聯大奈科中心-儀器訓練、認證申請表
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表D-1: 台聯大奈科中心-預約系統使用申請表
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表D-2:台聯大奈科中心儀器-夜間與假日時段使用資格表
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表F-1:台聯大奈科中心-無塵室單項儀器違規停用罰則
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一般性違規 |
嚴重性違規
(有損壞儀器之虞) |
損壞性違規 |
第一次 |
一星期 |
一個月 |
賠償修復後一個月 |
第二次 |
一個月 |
三個月 |
賠償修復後二個月 |
第三次 |
半年 |
永久取消 |
賠償修復後永久取消 |
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